sábado 29 de mayo de 2010
Defectos Estequiometricos
Defectos estequiométricos
Los compuestos estequiométricos son aquellos que contienen siempre los mismos elementos en la misma proporción en peso. Se les denomina también 'daltónidos' (de Dalton), en contraste con los no estequiométricos o 'bertólidos' (de Berthollet). Se observan en los compuestos estequiométricos dos tipos de defectos: Schottky y Frenkel. En el cero absoluto estos cristales iónicos estan perfectamente ordenado pero a medida que aumenta la temperatura algunos iones abandonan sus posiciones correctas creando un defecto.
Defectos Schottky Un ion positivo y otro negativo están ausentes de la red, no alterando ni la neutralidad ni lacomposición. Se producen dos agujeros o huecos en los que no existen átomos, a la vez que se mantiene la estequiometría. Ocurre en los compuestos iónicos cuyo cation y anión son de tamaño similar y número de coordinación 6 u 8, como en NaCl, KCl. CsCl, KBr.
El número de estos defectos por cm2 (NS), está relacionado con el trabajo necesario para crear ese defecto (DHS) y con la temperatura mediante la expresión:
NS = N·exp[-DHS/2kT]. k es la constante de Boltzman
N es el número de cationes y aniones por unidad de volúmen.
Defectos Frenkel
Es una vacante en un sitio donde debería estar situado un ion. Este ion pasa a una posición
intersticial. Los cationes suelen ser más pequeños que los aniones por lo que son estos los que
suelen faltar de sus posiciones correctas. Se dan en compuestos con gran diferencia de tamaños
del anión y catión: AgX (X, haluro), ZnS. El número de estos defectos por unidad de volumen
es:
NF = (NN')1/2 exp[-DHF/2kT],
donde N y N' es el número de átomos y de posiciones intersticiales por unidad de volumen.
El que en un cristal se presenten un tipo u otro de defectos depende de la entalpía de formación
de estos defectos. En algunos cristales pueden presentarse ambos tipos.
Como consecuencia de estos defectos los compuestos iónicos pueden presentar algún grado
de conductividad eléctrica. Si un ion se mueve a un nuevo agujero deja un agujero. El proceso se
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puede repetir con lo que se produce una migración de cargas o conducción. Este tipo de
semiconducción es la responsable del ruido de fondo producido por los transistores.
MOISES PINEDA
CI 18694836
CAF
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