DEFECTOS E IMPERFECCIONES CRISTALINAS  | 
Realmente no existen cristales perfectos sino que contienen varios tipos de imperfecciones  | 
y defectos, que afectan a muchas de sus propiedades físicas y mecánicas y también influyen  | 
en algunas propiedades de los materiales a nivel de aplicación ingenieril tal como la  | 
capacidad de formar aleaciones en frío, la conductividad eléctrica y la corrosión.  | 
Las imperfecciones se clasifican según su geometría y forma así:  | 
•  | 
Defectos puntuales o de dimensión cero  | 
•  | 
Defectos lineales o de una dimensión llamados también dislocaciones  | 
•  | 
Defectos de dos dimensiones  | 
También deben incluirse los defectos macroscópicos tales como fisuras, poros y las  | 
inclusiones extrañas.  | 
DEFECTOS PUNTUALES  | 
VACANTE  | 
Constituye el defecto puntual más simple.   Es un hueco creado por la perdida de un átomo  | 
que se encontraba en esa posición.  Puede producirse durante la solidificación por  | 
perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales.  También puede producirse  | 
por reordenamientos atómicos en el cristal ya formado como consecuencia de la movilidad  | 
de los átomos. (Figura 1)  | 
El número de vacantes en equilibrio N  | 
para una cantidad dada de material, se incrementa  | 
v  | 
con la temperatura de acuerdo a la ecuación:  | 
-  | 
Q  | 
N  | 
=  | 
N  | 
KT  | 
v  | 
Donde N  | 
es el número de vacantes por metro cúbico  | 
v  | 
N es el número de puntos en la red por metro cúbico  | 
Q es la energía requerida para producir una vacancia (J/átomo)  | 
T es la temperatura en  | 
°  | 
K  | 
K es la constante de Boltzmann de los gases (1.38 x 10  | 
-23  | 
J/átomo  | 
°  | 
K) ó 8.62 x  | 
10  | 
eV/átomo  | 
°  | 
K  | 
-5  | 
Son las imperfecciones más comunes en los cristales.  Se dan hasta una por cada 10000  | 
átomos.  | 
Las vacantes de no equilibrio tienen tendencia a agruparse formando clusters, que forman  | 
divacantes o trivacantes.  | 
Las vacantes pueden transladarse cambiando su posición con sus vecinos.  Este proceso es  | 
importante  en la migración o difusión de los átomos en el estado sólido, sobre todo a altas  | 
temperaturas donde la movilidad de los átomos es mayor.  | 
DEFECTOS INSTERSTICIALES  | 
Algunas veces, un átomo extra se inserta dentro de la estructura de la red en una posición  | 
que normalmente no está ocupada formando un defecto llamado " Defecto intersticial" .  | 
Generalmente este tipo de defecto introduce relativamente grandes distorsiones en los  | 
alrededores puesto que normalmente el átomo es sustancialmente más grande que la  | 
posición intersticial en la que se sitúa.  Consecuentemente la formación de este defecto no  | 
es muy probable.  Se pueden introducir en una estructura por radiación.  | 
IMPUREZAS EN SÓLIDOS  | 
Este defecto se introduce cuando un átomo es reemplazado por un átomo diferente.  El  | 
átomo sustituyente puede ser más grande que el átomo original y en ese caso los átomos  | 
alrededor están a  compresión ó puede ser más pequeño que el átomo original y en este caso  | 
los átomos circundantes estarán a tensión.  Este defecto puede presentarse como una  | 
impureza o como una adición deliberada en una aleación.   | 
Dependiendo de la clase de impureza que se halle en el cristal, de su concentración y de la  | 
temperatura se formará en el cristal una SOLUCIÓN SÓLIDA.  Cuando se habla de  | 
solución sólida hay que hacer claridad sobre algunos términos:  | 
-  Soluto:   Es el elemento o compuesto dentro de la solución sólida, que se encuentra  | 
en menor concentración  | 
-  Solvente:  Es el elemento dentro de la solución sólida, que se encuentra en mayor  | 
concentración.  | 
Una solución sólida se forma cuando átomos de soluto se adicionan al material y la  | 
estructura cristalina original se mantiene.  Se puede asimilar a una solución líquida en la  | 
que también  los átomos que constituyen las impurezas (soluto) están distribuidos al azar y  | 
uniformemente dispersos dentro del sólido.  | 
Los defectos puntuales de impurezas dentro de las soluciones sólidas pueden generarse por  | 
dos mecanismos:  | 
-  Sustitución:  Aquí el soluto o las impurezas reemplazan a átomos originales.  Esto  | 
se da cuando los átomos que constituyen el soluto y el solvente cumplen los  | 
siguientes requerimientos (Reglas de Hume -Rothery):  | 
o  | 
Los radios atómicos no difieran más del 15%  | 
o  | 
Las estructuras cristalinas deben ser las mismas  | 
o  | 
Las electronegatividades deben ser similares ya que de otra manera  | 
reaccionarían y se formarían nuevos compuestos  | 
o  | 
Deben tener la misma valencia  | 
Un ejemplo de solución sólida en metales lo constituyen el Cobre y el Níquel. (Figura 3)  | 
Figura 3.  Solución sólida por sustitución de Cobre y Níquel  | 
-  Intersticial:  Aquí los átomos de las impurezas llenan los vacíos o intersticios dentro  | 
del material original.  En la mayoría de los materiales metálicos el  | 
empaquetamiento atómico es alto y los intersticios son pequeños.  | 
Consecuentemente los diámetros de los átomos que constituyen las impurezas  | 
intersticiales deben ser sustancialmente más pequeñas que los del material original,  | 
razón por la cual este defecto es mucho menos común.  Un ejemplo de este tipo de  | 
impureza por sustitución lo constituyen el carbón y el hierro.  En una solución  | 
sólida de estos dos elementos,  el carbón puede sustituir al hierro en no mas del 2%.  | 
Otros defectos puntuales importantes son:  | 
DEFECTO FRENKEL  | 
Es una imperfección combinada Vacancia  – Defecto intersticial.  Ocurre cuando un ion  | 
salta de un punto normal dentro de la red a un sitio intersticial dejando entonces una  | 
vacancia.   | 
DEFECTO SCHOTTKY  | 
Es un par de vacancias en un material con enlaces iónicos.  Para mantener la neutralidad,  | 
deben perderse de la red tanto un catión como un anión.   | 
Otro defecto puntual importante ocurre cuando un ion de una carga reemplaza otro ion de  | 
diferente carga.  Por ejemplo un ion de valencia +2 reemplaza a un ion de valencia +1.  En  | 
este caso una carga extre positiva se introduce dentro de la estructura.  Para mantener un  | 
balance de carga, se debe crear una vacante de una carga positiva (Enlaces iónicos).   | 
DEFECTOS DE LINEA (DISLOCACIONES)  | 
Son defectos que dan lugar a una distorsión de la red centrada en torno a una línea.  Se  | 
crean durante la solidificación de los sólidos cristalinos o por deformación plástica, por  | 
condensación de vacantes.  | 
Hay dos tipos de dislocaciones, las de cuña y las helicoidales.  También puede darse una  | 
combinación de ambas, denominada dislocación mezcla  | 
DISLOCACIÓN DE CUÑA  | 
Se crea por inserción de un semiplano adicional de átomos dentro de la red.   Los átomos a  | 
lado y lado del semiplano insertado se encuentran distorsionados.  Los átomos por encima  | 
de la línea de dislocación, que se encuentra perpendicular al plano de la página, en el punto  | 
donde termina el semiplano insertado, se encuentran comprimidos y los que están por  | 
debajo se encuentran apartados.  Esto se refleja en la leve curvatura de los planos verticales  | 
de los átomos mas cercanos del extra semiplano.  La magnitud de esta distorsión decrece  | 
con la distancia al semiplano insertado.  | 
La distancia de desplazamiento de los átomos en torno a una dislocación se llama  | 
DESLIZAMIENTO o vector de Burgers y es perpendicular a la línea de dislocación de  | 
cuña.  | 
DISLOCACIÓN HELICOIDAL  | 
Esta dislocación se forma cuando se aplica un esfuerzo de cizalladura en un cristal perfecto  | 
que ha sido separado por un plano cortante.    | 
Aquí el vector de Burgers o de desplazamiento es paralelo a la línea de dislocación.  | 
DISLOCACIONES MIXTAS  | 
Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las dislocaciones anteriores.  Su vector de  | 
Burgers no es ni perpendicular ni paralelo a la línea de dislocación, pero mantiene una  | 
orientación fija en el espacio.  La estructura atómica local en torno a  la dislocación mixta es  | 
difícil de visualizar, pero el vector de Burgers proporciona una descripción conveniente y  | 
sencilla.   | 
SIGNIFICADO DE LAS DISLOCACIONES  | 
Aunque los deslizamientos o desplazamientos atómicos pueden ocurrir en cerámicos y  | 
polímeros, estos procesos son particularmente útiles para entender el comportamiento  | 
mecánico de los metales.  Primero que todo, el deslizamiento atómico explica por que la  | 
resistencia de los metales es mucho mas baja que el valor teórico predicho de los enlaces  | 
metálicos.  Cuando los deslizamientos ocurren, solo una pequeña fracción de todos los  | 
enlaces metálicos a lo largo de la interfase necesita ser roto y la fuerza requerida para  | 
deformar el metal es pequeña.  Segundo, los deslizamientos proveen ductilidad en los  | 
metales.  Si no estuvieran presentes las dislocaciones, una barra de hierro sería frágil y los  | 
metales no podrían ser  moldeados por varios procesos tales como forjado.  Tercero, es  | 
posible controlar las propiedades mecánicas de un metal o aleación interfiriendo con el  | 
movimiento de las dislocaciones.  Un obstáculo introducido dentro del cristal evita que una  | 
dislocación se deslice a menos de que se aplique una fuerza muy grande.  | 
Es posible encontrar un gran nú mero de dislocaciones en los materiales.  La densidad de las  | 
dislocaciones o longitud total de las dislocaciones por unidad de volumen, se usa  | 
generalmente para representar la cantidad de dislocaciones presentes.  Densidades de  | 
dislocaciones de 10 m . mm  | 
son típicas de los metales más suaves, mientras que  | 
-3  | 
densidades de dislocaciones superiores a 1000 Km . mm  | 
se pueden conseguir deformando  | 
-3  | 
el material.  | 
LEY DE SCHMID  | 
Se puede entender las diferencias en el comportamiento de los metales que tienen diferentes  | 
estructuras, examinando la fuerza requerida para iniciar el proceso de deslizamiento.  | 
Suponga que se aplica una fuerza unidireccional F a un cilindro de metal que es un cristal  | 
simple o monocristal  (Figura 11).  Es posible ubicar el plano de desliza miento y la  | 
dirección del desplazamiento al aplicar la fuerza, definiendo los ángulos  | 
y  | 
f  | 
.  | 
es el  | 
ángulo entre la dirección del desplazamiento y la fuerza aplicada, y  | 
f  | 
es el ángulo entre la  | 
normal al plano de desplazamiento y la fuerza aplicada.  | 
Para que la dislocación se mueva en el sistema de deslizamiento, se necesita que actúe una  | 
fuerza de cizalladura en la dirección del desplazamiento, producida por la fuerza aplicada.  | 
La resultante de esta fuerza de cizalladura, F  | 
, está dada por  | 
r  | 
F  | 
=  | 
F  | 
cos  | 
l  | 
r  | 
A  | 
Si esta ecuación se divide por el área del plano de deslizamiento,  | 
A  | 
, se obtiene la  | 
=  | 
o  | 
cos  | 
f  | 
LEY DE SCHMID,  | 
t  | 
=  | 
s  | 
cos  | 
f  | 
cos  | 
l  | 
r  | 
donde:  | 
F  | 
t  | 
=  | 
Es  | 
la  | 
resul  | 
tan  | 
te  | 
del  | 
esfuerzo  | 
cor  | 
tan  | 
te  | 
en  | 
la  | 
direccion  | 
del  | 
deslizamie  | 
nto  | 
r  | 
A  | 
r  | 
F  | 
s  | 
=  | 
Es  | 
el  | 
esfuerzo  | 
unidirecci  | 
onal  | 
aplicado  | 
al  | 
cilindro  | 
A  | 
o  | 
DEFECTOS INTERFACIALES O SUPERFICIALES  | 
Los defectos superficiales son los límites o bordes o planos que dividen un material en  | 
regiones, cada una de las cuales tiene la misma estructura cristalina pero diferente  | 
orientación.  | 
SUPERFICIE EXTERNA  | 
Las dimensiones exteriores del material representan superficies en las cuales la red termina  | 
abruptamente.  Los átomos de la superficie no estan enlazados al número máximo de  | 
vecinos que deberían tener y por lo tanto, esos átomos tienen mayor estado energético que  | 
los átomos de las posiciones internas.  Los enlaces de esos átomos supericials que no estan  | 
satisfechos dan lugar a una energía superficial, expresada en unidades de energía por  | 
unidad de área (J/m  | 
o Erg/cm  | 
).  Además la superficie del material puede ser rugosa,  | 
2  | 
2  | 
puede contener pequeñas muescas y puede ser mucho  mas reactiva que el resto del  | 
material.  | 
BORDES DE GRANO  | 
Se puede definir como la superficie que separa los granos individuales de diferentes  | 
orientaciones cristalográficas en materiales policristalinos.  | 
El límite de grano es una zona estrecha en la cual los átomos no están uniformemente  | 
separados, o sea que hay átomos que están muy juntos causando una compresión, mientras  | 
que otros están separados causando tensión.  De cualquier forma los limites de grano son  | 
áreas de alta energía y hace de esta región una mas favorable para la nucleación y el  | 
crecimiento de precipitados  | 
MACLAS  | 
Una macla es un tipo especial de límite de grano en el cual los átomos de un lado del límite  | 
están localizados en una posición que es la imagen especular de los átomos del otro lado.  | 
Cristales de yeso sin maclar    Macla de yeso  | 
Tarea:  Con el fin de complementar el tema de cristalografía consulte acerca de los temas  | 
CUASICRISTALES y FRACTALES.  | 
Duque Franky
C.I: 15.990.445
CRF
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